Stress distribution in GaN nanopillars using confocal Raman mapping technique

نویسندگان
چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Mapping Cell Distribution in Amorphous Scaffolds using Confocal Microscopy

INTRODUCTION One common tissue engineering (TE) approach for regenerating or replacing damaged tissues involves a porous polymeric scaffold that serves as the mechanical framework for cell attachment and proliferation. Cell-material interactions play a vital role in the structure and function of a scaffold and are affected by chemical and physical parameters, as well as the micro-environment su...

متن کامل

fault location in power distribution networks using matching algorithm

چکیده رساله/پایان نامه : تاکنون روش‏های متعددی در ارتباط با مکان یابی خطا در شبکه انتقال ارائه شده است. استفاده مستقیم از این روش‏ها در شبکه توزیع به دلایلی همچون وجود انشعاب‏های متعدد، غیر یکنواختی فیدرها (خطوط کابلی، خطوط هوایی، سطح مقطع متفاوت انشعاب ها و تنه اصلی فیدر)، نامتعادلی (عدم جابجا شدگی خطوط، بارهای تک‏فاز و سه فاز)، ثابت نبودن بار و اندازه گیری مقادیر ولتاژ و جریان فقط در ابتدای...

Assessing strain mapping by electron backscatter diffraction and confocal Raman microscopy using wedge-indented Si.

The accuracy of electron backscatter diffraction (EBSD) and confocal Raman microscopy (CRM) for small-scale strain mapping are assessed using the multi-axial strain field surrounding a wedge indentation in Si as a test vehicle. The strain field is modeled using finite element analysis (FEA) that is adapted to the near-indentation surface profile measured by atomic force microscopy (AFM). The as...

متن کامل

Depth-resolved confocal micro-Raman spectroscopy for characterizing GaN-based light emitting diode structures.

In this work, we demonstrate that depth-resolved confocal micro-Raman spectroscopy can be used to characterize the active layer of GaN-based LEDs. By taking the depth compression effect due to refraction index mismatch into account, the axial profiles of Raman peak intensities from the GaN capping layer toward the sapphire substrate can correctly match the LED structural dimension and allow the...

متن کامل

3D Temperature Measurement in IC Chips using Confocal Raman Spectroscopy

We have demonstrated the feasibility of depth and surface temperature measurements in active areas of semiconductor devices using confocal Raman spectroscopy. Using micro heaters, we created a 3D temperature profile across micron size volume. We determined the temperature profile with sub-micron resolution and obtained good agreement with calculations. Theoretical uncertainty in temperature det...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Applied Physics Letters

سال: 2014

ISSN: 0003-6951,1077-3118

DOI: 10.1063/1.4872056